casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N3906TF
Número da peça de fabricante | 2N3906TF |
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Número da peça futura | FT-2N3906TF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N3906TF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potência - Max | 625mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3906TF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N3906TF-FT |
ZTX705STOB
Diodes Incorporated
ZTX712
Diodes Incorporated
ZTX712STOA
Diodes Incorporated
ZTX712STOB
Diodes Incorporated
ZTX712STZ
Diodes Incorporated
ZTX717
Diodes Incorporated
ZTX717STOA
Diodes Incorporated
ZTX717STOB
Diodes Incorporated
ZTX717STZ
Diodes Incorporated
ZTX718STOA
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel