casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / 2N3811
Número da peça de fabricante | 2N3811 |
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Número da peça futura | FT-2N3811 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N3811 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-78-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3811 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N3811-FT |
JAN2N2919U
Microsemi Corporation
JAN2N2920L
Microsemi Corporation
JAN2N2920U
Microsemi Corporation
JAN2N3810L
Microsemi Corporation
JAN2N3810U
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN2N6988
Microsemi Corporation
JAN2N6989
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A54SX16A-1TQG144I
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XC2VP30-6FGG676C
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XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484M
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EP20K600EFC672-2X
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5SGXEA7K1F40I2N
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5SGXEB6R2F40I3N
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5SGXEB6R3F43C4
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5SGXEA7H2F35C3N
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