casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N3737
Número da peça de fabricante | 2N3737 |
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Número da peça futura | FT-2N3737 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N3737 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 1.5V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-46-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3737 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N3737-FT |
2N6650
Microsemi Corporation
2N6673
Microsemi Corporation
2N6674
Microsemi Corporation
2N6675
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Microsemi Corporation
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10AX115S4F45I3LG
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