casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N3583
Número da peça de fabricante | 2N3583 |
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Número da peça futura | FT-2N3583 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N3583 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 175V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 125mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 10V |
Potência - Max | 35W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-66 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3583 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N3583-FT |
FZT692BTC
Diodes Incorporated
FZT694BTC
Diodes Incorporated
FZT704TA
Diodes Incorporated
FZT717TC
Diodes Incorporated
FZT755TC
Diodes Incorporated
FZT757TC
Diodes Incorporated
FZT758TC
Diodes Incorporated
FZT788ATA
Diodes Incorporated
FZT788ATC
Diodes Incorporated
FZT788BTC
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel