casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N3583
Número da peça de fabricante | 2N3583 |
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Número da peça futura | FT-2N3583 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N3583 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 175V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 125mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 10V |
Potência - Max | 35W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-66 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3583 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N3583-FT |
FZT692BTC
Diodes Incorporated
FZT694BTC
Diodes Incorporated
FZT704TA
Diodes Incorporated
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FZT757TC
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
EX64-PTQG100I
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M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
10M40DCF256A7G
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EP3SL340F1517C3
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Lattice Semiconductor Corporation
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