casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2DB1386R-13
Número da peça de fabricante | 2DB1386R-13 |
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Número da peça futura | FT-2DB1386R-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
2DB1386R-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2DB1386R-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2DB1386R-13-FT |
2DA1201YQTC
Diodes Incorporated
ZXTP4003GTA
Diodes Incorporated
ZXTN10150DZTA
Diodes Incorporated
BCX5616TA
Diodes Incorporated
ZXTN2011ZTA
Diodes Incorporated
BCV49TA
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DNLS350Y-13
Diodes Incorporated
DPLS350Y-13
Diodes Incorporated
FCX558TA
Diodes Incorporated
ZXTN4004ZQTA
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200HC-4TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
Intel