casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2DB1386Q-13
Número da peça de fabricante | 2DB1386Q-13 |
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Número da peça futura | FT-2DB1386Q-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2DB1386Q-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2DB1386Q-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2DB1386Q-13-FT |
FCX1147ATA
Diodes Incorporated
ZXTN19020DZTA
Diodes Incorporated
BST52TA
Diodes Incorporated
FCX555TA
Diodes Incorporated
ZXTP19100CZTA
Diodes Incorporated
BST39TA
Diodes Incorporated
ZXTN2010ZTA
Diodes Incorporated
FCX593TA
Diodes Incorporated
ZXTN25060BZQTA
Diodes Incorporated
ZXTP19060CZTA
Diodes Incorporated
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel