casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / 275-102N06A-00
Número da peça de fabricante | 275-102N06A-00 |
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Número da peça futura | FT-275-102N06A-00 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DE |
275-102N06A-00 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | N-Channel |
Freqüência | - |
Ganho | - |
Tensão - Teste | - |
Classificação atual | 8A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | - |
Potência | 590W |
Voltagem - Rated | 1000V |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DE275 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
275-102N06A-00 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 275-102N06A-00-FT |
NE3512S02-A
CEL
NE3512S02-T1C-A
CEL
NE3514S02-A
CEL
NE3514S02-T1C-A
CEL
NE3515S02-A
CEL
NE3515S02-T1C-A
CEL
NE3516S02-A
CEL
NE3516S02-T1C-A
CEL
NE3520S03-A
CEL
NE3520S03-T1C-A
CEL
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel