casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 24AA512T-I/SM
Número da peça de fabricante | 24AA512T-I/SM |
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Número da peça futura | FT-24AA512T-I/SM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
24AA512T-I/SM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | 400kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | 900ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24AA512T-I/SM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 24AA512T-I/SM-FT |
IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
24LC256T-I/SM
Microchip Technology
25LC1024T-I/SM
Microchip Technology
GD25D05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel