casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / 20J1K8E
Número da peça de fabricante | 20J1K8E |
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Número da peça futura | FT-20J1K8E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 20 |
20J1K8E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1.8 kOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 10W |
Composição | Wirewound |
Características | Flame Retardant Coating, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±30ppm/°C |
Temperatura de operação | - |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.394" Dia x 1.858" L (10.00mm x 47.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20J1K8E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 20J1K8E-FT |
23J4K0
Ohmite
23J4K5
Ohmite
23J56R
Ohmite
23J680
Ohmite
23J6K0
Ohmite
23J750
Ohmite
23J7K0
Ohmite
23J7K5
Ohmite
23J800
Ohmite
23J820
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel