casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 20ETF12FP
Número da peça de fabricante | 20ETF12FP |
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Número da peça futura | FT-20ETF12FP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
20ETF12FP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.31V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 400ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC Full Pack |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETF12FP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 20ETF12FP-FT |
1N5815R
Microsemi Corporation
1N5816
Microsemi Corporation
1N5816R
Microsemi Corporation
1N5817A-01
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1N5819HW-13
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1N5819UR-1/TR
Microsemi Corporation
1N5820-A
Diodes Incorporated
1N5821-A
Diodes Incorporated
1N6073US
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1N6076US
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A54SX32A-TQ144
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M1AFS1500-FGG484
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APA150-FG256I
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EP4CE15F17C8L
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5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
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LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
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LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel