casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / 209CNQ135
Número da peça de fabricante | 209CNQ135 |
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Número da peça futura | FT-209CNQ135 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
209CNQ135 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 135V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 135V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PRM4 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PRM4 (Non-Isolated) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
209CNQ135 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 209CNQ135-FT |
FST50100
Microsemi Corporation
FST30100
Microsemi Corporation
FST30100E3
Microsemi Corporation
FST50100E3
Microsemi Corporation
SBT250-04R
ON Semiconductor
STPS200170TV1
STMicroelectronics
STTH200L06TV1
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STTH10002TV1
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STTH60L06TV1
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STPS24045TV
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EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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EPF10K100EFC484-1N
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EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
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XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel