Número da peça de fabricante | 1N916B |
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Número da peça futura | FT-1N916B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N916B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N916B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N916B-FT |
BAS3005A02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS3005B02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS1602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS5202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAS 16-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 3005A-02V E6327
Infineon Technologies
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel