casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N914BTR
Número da peça de fabricante | 1N914BTR |
---|---|
Número da peça futura | FT-1N914BTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N914BTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitância @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N914BTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N914BTR-FT |
BAS1602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS5202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAS 16-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 3005A-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 3005B-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 52-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 52-02V E6433
Infineon Technologies
BAS5202VE6127XT
Infineon Technologies
BAT 54-02V E6327
Infineon Technologies
BAS2103WE6327HTSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel