Número da peça de fabricante | 1N6761 |
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Número da peça futura | FT-1N6761 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6761 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 690mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-41 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6761 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6761-FT |
SR1504 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT110HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRT115 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel