Número da peça de fabricante | 1N6660 |
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Número da peça futura | FT-1N6660 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6660 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 45V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-254AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6660 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6660-FT |
MSAD120-16
Microsemi Corporation
MBR40100PTE3/TU
Microsemi Corporation
JANTX1N6660
Microsemi Corporation
JANTX1N6511
Microsemi Corporation
FST8145
Microsemi Corporation
FST80150SM5C
Microsemi Corporation
FST153100
Microsemi Corporation
FST153100A
Microsemi Corporation
FST153100D
Microsemi Corporation
FST60100
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel