casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N6642US
Número da peça de fabricante | 1N6642US |
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Número da peça futura | FT-1N6642US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6642US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Atual - Média Retificada (Io) | 300mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 5ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacitância @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, D |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5D |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6642US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6642US-FT |
DSB0.2A20
Microsemi Corporation
DSB0.2A40
Microsemi Corporation
DSB0.5A20
Microsemi Corporation
DSB0.5A30
Microsemi Corporation
DSB0.5A40
Microsemi Corporation
DSB2810
Microsemi Corporation
DSB3A20
Microsemi Corporation
DSB3A30
Microsemi Corporation
DSB3A40
Microsemi Corporation
DSB5712
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
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EPF10K100ABI600-2
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5SGXMA4K2F40C1N
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A54SX08A-TQG100
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5CGTFD9C5F23I7N
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