Número da peça de fabricante | 1N6630 |
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Número da peça futura | FT-1N6630 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6630 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 990V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 2µA @ 990V |
Capacitância @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | A, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6630 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6630-FT |
JANTXV1N6622
Microsemi Corporation
JANTX1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N6622
Microsemi Corporation
1N5819-1
Microsemi Corporation
1N6759
Microsemi Corporation
1N6760
Microsemi Corporation
DSB1A100
Microsemi Corporation
DSB1A20
Microsemi Corporation
DSB1A30
Microsemi Corporation
DSB1A40
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel