casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N6620US
Número da peça de fabricante | 1N6620US |
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Número da peça futura | FT-1N6620US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6620US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 220V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 220V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | A-MELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6620US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6620US-FT |
1N4526
Microsemi Corporation
1N4527
Microsemi Corporation
1N4528
Microsemi Corporation
1N4531
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1N4532
Microsemi Corporation
1N4532UR
Microsemi Corporation
1N4534
Microsemi Corporation
1N4534UR
Microsemi Corporation
1N4550A
Microsemi Corporation
1N4551A
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel