Número da peça de fabricante | 1N6097 |
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Número da peça futura | FT-1N6097 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6097 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5mA @ 30V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6097 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6097-FT |
150K80A
GeneSiC Semiconductor
150KR100A
GeneSiC Semiconductor
150KR20A
GeneSiC Semiconductor
150KR80A
GeneSiC Semiconductor
1N1183
GeneSiC Semiconductor
1N1183A
GeneSiC Semiconductor
1N1183AR
GeneSiC Semiconductor
1N1183R
GeneSiC Semiconductor
1N1186
GeneSiC Semiconductor
1N1187
GeneSiC Semiconductor
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
Intel