casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N6017D
Número da peça de fabricante | 1N6017D |
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Número da peça futura | FT-1N6017D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6017D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolerância | ±1% |
Potência - Max | 500mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 180 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 39V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6017D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6017D-FT |
1N5757B
Microsemi Corporation
1N5757C
Microsemi Corporation
1N5757D
Microsemi Corporation
1N5985A
Microsemi Corporation
1N5985B
Microsemi Corporation
1N5985C
Microsemi Corporation
1N5985D
Microsemi Corporation
1N5986A
Microsemi Corporation
1N5986B
Microsemi Corporation
1N5986C
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel