casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N6003B
Número da peça de fabricante | 1N6003B |
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Número da peça futura | FT-1N6003B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N6003B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 500mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 25 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 9.9V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6003B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N6003B-FT |
1N4581A-1
Microsemi Corporation
JAN1N752A-1
Microsemi Corporation
1N5747C
Microsemi Corporation
1N5753B
Microsemi Corporation
1N5990A
Microsemi Corporation
1N5990C
Microsemi Corporation
1N5991B
Microsemi Corporation
1N5991C
Microsemi Corporation
1N5992B
Microsemi Corporation
1N3155AE3
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel