Número da peça de fabricante | 1N5830 |
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Número da peça futura | FT-1N5830 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5830 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 25V |
Atual - Média Retificada (Io) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 25A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 2mA @ 20V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5830 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5830-FT |
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RL106FTA
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ON Semiconductor
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Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
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XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation