casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5822US
Número da peça de fabricante | 1N5822US |
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Número da peça futura | FT-1N5822US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5822US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 40V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, B |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | B, SQ-MELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5822US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5822US-FT |
1N482B
Microsemi Corporation
1N484B
Microsemi Corporation
1N5194
Microsemi Corporation
1N5195
Microsemi Corporation
1N5196
Microsemi Corporation
1N648-1
Microsemi Corporation
1N6675
Microsemi Corporation
1N6676
Microsemi Corporation
DSB0.2A20
Microsemi Corporation
DSB0.2A40
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
Intel