casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5819HW1-7-F
Número da peça de fabricante | 1N5819HW1-7-F |
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Número da peça futura | FT-1N5819HW1-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SBR® |
1N5819HW1-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Super Barrier |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 510mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 15ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacitância @ Vr, F | 30pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123F |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123F |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819HW1-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5819HW1-7-F-FT |
BAS21T-7
Diodes Incorporated
BAS40T-7
Diodes Incorporated
BAT54T-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HT-7
Diodes Incorporated
SDM10P45-7
Diodes Incorporated
SDM10P45-7-F
Diodes Incorporated
SDMP0340LT-7
Diodes Incorporated
ZLLS2000TA
Diodes Incorporated
ZLLS2000TC
Diodes Incorporated
BAT54TA
Diodes Incorporated
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel