casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5819HB0G
Número da peça de fabricante | 1N5819HB0G |
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Número da peça futura | FT-1N5819HB0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
1N5819HB0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 40V |
Capacitância @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819HB0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5819HB0G-FT |
1N4936G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819HA0G
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BA157G B0G
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BA157GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158G B0G
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BA158GHA0G
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BA158GHB0G
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BA159G B0G
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