casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5817 R0G
Número da peça de fabricante | 1N5817 R0G |
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Número da peça futura | FT-1N5817 R0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5817 R0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitância @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817 R0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5817 R0G-FT |
UF1B R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel