casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5817HB0G
Número da peça de fabricante | 1N5817HB0G |
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Número da peça futura | FT-1N5817HB0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
1N5817HB0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitância @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817HB0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5817HB0G-FT |
FR105G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4007 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR103G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR104G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR110 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel