casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5817 B0G
Número da peça de fabricante | 1N5817 B0G |
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Número da peça futura | FT-1N5817 B0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5817 B0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitância @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817 B0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5817 B0G-FT |
1N4005G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR105G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4007 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR103G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR104G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel