casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5817-B

| Número da peça de fabricante | 1N5817-B |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-1N5817-B |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| 1N5817-B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
| Capacitância @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-41 |
| Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 125°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 1N5817-B Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | 1N5817-B-FT |

HER301-T
Diodes Incorporated

HER302-T
Diodes Incorporated

HER303-T
Diodes Incorporated

HER304-T
Diodes Incorporated

HER305-T
Diodes Incorporated

PR3001-T
Diodes Incorporated

PR3001G-T
Diodes Incorporated

PR3002-T
Diodes Incorporated

PR3002G-T
Diodes Incorporated

PR3003-T
Diodes Incorporated

A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation

LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.

EP2AGX65DF25C5
Intel

5SGXMABN3F45I3N
Intel

5SGXMA5H2F35I3N
Intel

XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.

A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation

LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC7D6F31I7
Intel