casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5817-B
Número da peça de fabricante | 1N5817-B |
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Número da peça futura | FT-1N5817-B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5817-B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitância @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-41 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817-B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5817-B-FT |
HER301-T
Diodes Incorporated
HER302-T
Diodes Incorporated
HER303-T
Diodes Incorporated
HER304-T
Diodes Incorporated
HER305-T
Diodes Incorporated
PR3001-T
Diodes Incorporated
PR3001G-T
Diodes Incorporated
PR3002-T
Diodes Incorporated
PR3002G-T
Diodes Incorporated
PR3003-T
Diodes Incorporated
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel