casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5813R
Número da peça de fabricante | 1N5813R |
---|---|
Número da peça futura | FT-1N5813R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
1N5813R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5813R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5813R-FT |
1N4005GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G BK
Central Semiconductor Corp
1N4006GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007 BK
Central Semiconductor Corp
1N4148-1/TR
Microsemi Corporation
1N4148UB
Microsemi Corporation
1N4148UBCA
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel