casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5812R
Número da peça de fabricante | 1N5812R |
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Número da peça futura | FT-1N5812R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
1N5812R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5812R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5812R-FT |
1N4005GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4005GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G BK
Central Semiconductor Corp
1N4006GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007 BK
Central Semiconductor Corp
1N4148-1/TR
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel