casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5807US
Número da peça de fabricante | 1N5807US |
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Número da peça futura | FT-1N5807US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5807US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5807US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5807US-FT |
VS-MURB820-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C28J
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32J
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel