casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / 1N5767
Número da peça de fabricante | 1N5767 |
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Número da peça futura | FT-1N5767 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5767 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.4pF @ 50V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 2.5 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5767 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5767-FT |
UPP9401E3/TR7
Microsemi Corporation
BAT17,215
Nexperia USA Inc.
PMBD353,215
Nexperia USA Inc.
PMBD354,215
Nexperia USA Inc.
BAT17,235
Nexperia USA Inc.
PMBD353,235
Nexperia USA Inc.
1PS76SB17,115
Nexperia USA Inc.
UM9604
Microsemi Corporation
MSWSE-010-15S
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011104-TR3000
M/A-Com Technology Solutions
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel