Número da peça de fabricante | 1N5712 |
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Número da peça futura | FT-1N5712 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5712 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Atual - Média Retificada (Io) | 75mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 35mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150nA @ 16V |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 (DO-204AH) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5712 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5712-FT |
JANTX1N5194
Microsemi Corporation
JANTX1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N6628US
Microsemi Corporation
JAN1N6629US
Microsemi Corporation
JAN1N6631US
Microsemi Corporation
JANTX1N4946
Microsemi Corporation
JANTX1N4942
Microsemi Corporation
JANTX1N4245
Microsemi Corporation
JANTX1N3957
Microsemi Corporation
JANTX1N3891
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel