Número da peça de fabricante | 1N5622 |
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Número da peça futura | FT-1N5622 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5622 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5622 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5622-FT |
1N3171R
Powerex Inc.
1N3172
Powerex Inc.
1N3172R
Powerex Inc.
1N3173
Powerex Inc.
1N3173R
Powerex Inc.
1N3174
Powerex Inc.
1N3174R
Powerex Inc.
1N3260
Powerex Inc.
1N3260R
Powerex Inc.
1N3261
Powerex Inc.
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel