Número da peça de fabricante | 1N5622 |
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Número da peça futura | FT-1N5622 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5622 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5622 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5622-FT |
1N3171R
Powerex Inc.
1N3172
Powerex Inc.
1N3172R
Powerex Inc.
1N3173
Powerex Inc.
1N3173R
Powerex Inc.
1N3174
Powerex Inc.
1N3174R
Powerex Inc.
1N3260
Powerex Inc.
1N3260R
Powerex Inc.
1N3261
Powerex Inc.
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel