casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5617E3
Número da peça de fabricante | 1N5617E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-1N5617E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5617E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | A, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | A, Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5617E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5617E3-FT |
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
JAN1N5188
Microsemi Corporation
JAN1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N5415
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel