casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5614US
Número da peça de fabricante | 1N5614US |
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Número da peça futura | FT-1N5614US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5614US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5A |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 200°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5614US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5614US-FT |
1N6760
Microsemi Corporation
DSB1A100
Microsemi Corporation
DSB1A20
Microsemi Corporation
DSB1A30
Microsemi Corporation
DSB1A40
Microsemi Corporation
DSB1A50
Microsemi Corporation
DSB1A60
Microsemi Corporation
DSB1A80
Microsemi Corporation
DSB5818
Microsemi Corporation
DSB5820
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
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APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel