casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5553C.TR
Número da peça de fabricante | 1N5553C.TR |
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Número da peça futura | FT-1N5553C.TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5553C.TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5553C.TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5553C.TR-FT |
1N3170R
Powerex Inc.
1N3171
Powerex Inc.
1N3171R
Powerex Inc.
1N3172
Powerex Inc.
1N3172R
Powerex Inc.
1N3173
Powerex Inc.
1N3173R
Powerex Inc.
1N3174
Powerex Inc.
1N3174R
Powerex Inc.
1N3260
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel