casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5419US
Número da peça de fabricante | 1N5419US |
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Número da peça futura | FT-1N5419US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5419US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 250ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 500V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | E-MELF |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5B |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5419US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5419US-FT |
GP2D015A120A
Global Power Technologies Group
GP2D024A060B
Global Power Technologies Group
GP2D036A060B
Global Power Technologies Group
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel