casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5417-TAP
Número da peça de fabricante | 1N5417-TAP |
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Número da peça futura | FT-1N5417-TAP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5417-TAP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 100ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SOD-64, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-64 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5417-TAP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5417-TAP-FT |
LS103B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4150GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4150GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4151-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4151GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation