Número da peça de fabricante | 1N5416 |
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Número da peça futura | FT-1N5416 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5416 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | B, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5416 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5416-FT |
1N3595US
Microsemi Corporation
MC5616
Microsemi Corporation
MBR20100CTE3/TU
Microsemi Corporation
LX2400ILG
Microsemi Corporation
JANTX1N4248
Microsemi Corporation
JANTXV1N4245
Microsemi Corporation
JANTXV1N4246
Microsemi Corporation
JANTXV1N4247
Microsemi Corporation
JANTX1N4246
Microsemi Corporation
JANTX1N4247
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel