Número da peça de fabricante | 1N5408 |
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Número da peça futura | FT-1N5408 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5408 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5408 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5408-FT |
1N3214R
GeneSiC Semiconductor
S85J
GeneSiC Semiconductor
1N3214
GeneSiC Semiconductor
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor
1N2138A
GeneSiC Semiconductor
1N2131A
GeneSiC Semiconductor
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor
1N2130A
GeneSiC Semiconductor
1N1206A
GeneSiC Semiconductor
1N1204AR
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel