casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5406G
Número da peça de fabricante | 1N5406G |
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Número da peça futura | FT-1N5406G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5406G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5406G-FT |
UPS120EE3/TR13
Microsemi Corporation
UPS120EE3/TR7
Microsemi Corporation
UPS140/TR13
Microsemi Corporation
UPS140E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS160/TR13
Microsemi Corporation
UPS160/TR7
Microsemi Corporation
UPS160E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS160E3/TR7
Microsemi Corporation
UPS3100/TR13
Microsemi Corporation
UPS315/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel