casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5406G A0G
Número da peça de fabricante | 1N5406G A0G |
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Número da peça futura | FT-1N5406G A0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5406G A0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406G A0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5406G A0G-FT |
SR206HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel