casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N5406-T
Número da peça de fabricante | 1N5406-T |
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Número da peça futura | FT-1N5406-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5406-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5406-T-FT |
SBM1040-13-F
Diodes Incorporated
SBM340-13
Diodes Incorporated
SBM340-13-F
Diodes Incorporated
SBM540-13
Diodes Incorporated
SBM540-13-F
Diodes Incorporated
PD3S220L-7
Diodes Incorporated
PD3S230H-7
Diodes Incorporated
PD3S230HQ-7
Diodes Incorporated
PD3S0230-7
Diodes Incorporated
PD3S160Q-7
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel