Número da peça de fabricante | 1N5396 |
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Número da peça futura | FT-1N5396 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5396 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 500V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-15 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5396 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5396-FT |
ES3B
ON Semiconductor
S3G
ON Semiconductor
S3N
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SS32
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ES3C
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MBRS320
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SS39
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RGF1M
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RS1J
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S1J
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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EP3CLS200F780C8
Intel