casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N5381BE3/TR12
Número da peça de fabricante | 1N5381BE3/TR12 |
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Número da peça futura | FT-1N5381BE3/TR12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5381BE3/TR12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 130V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 5W |
Impedância (Max) (Zzt) | 190 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 93.6V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | T-18, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | T-18 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5381BE3/TR12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5381BE3/TR12-FT |
1N5376C/TR8
Microsemi Corporation
1N5376CE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5376CE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5376CE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5376E3/TR12
Microsemi Corporation
1N5376E3/TR13
Microsemi Corporation
1N5376E3/TR8
Microsemi Corporation
1N5377/TR12
Microsemi Corporation
1N5377/TR8
Microsemi Corporation
1N5377A/TR12
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel