casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N4756A-TAP
Número da peça de fabricante | 1N4756A-TAP |
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Número da peça futura | FT-1N4756A-TAP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
1N4756A-TAP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 47V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 1.3W |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 35.8V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-41 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4756A-TAP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N4756A-TAP-FT |
SMZJ3796AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3796AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation