casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N4150W-E3-18
Número da peça de fabricante | 1N4150W-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-1N4150W-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N4150W-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150W-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N4150W-E3-18-FT |
V30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel