Número da peça de fabricante | 1N3736 |
---|---|
Número da peça futura | FT-1N3736 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N3736 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3736 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N3736-FT |
MBR40150PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40200PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4040PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4045PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4050PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4060PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4080PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4090PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR60100PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR60150PTE3/TU
Microsemi Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel